//Ixys|Diodi raddrizzatori per alta tensione
UGE 1112 AY4.
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UGE 1112 AY4.

Diodo raddrizzatore UGE1112AY4 caratterizzato da VRRM = 8000 V e IF(AV)M = 4.2 A

Costruzione sigillata in epoxy. Facile montaggio tramite la connessione a vite.

A stock per consegna immediata.

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    FRED diode (Fast Recovery Epitaxial Diode) Ixys, nominal parameters VRRM 1200V, IFAVM109A.

    Available at stock, immediate delivery worldwide.

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    Ixys propone un’ampissima gamma di diodi, Mosfet, Thyristor e IGBT di potenza.

    Sono altresì disponibili moduli che combinano più semiconduttori, per un assemblaggio più rapido.

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