Ixys propone un’ampissima gamma di diodi, Mosfet, Thyristor e IGBT di potenza.
Sono altresì disponibili moduli che combinano più semiconduttori, per un assemblaggio più rapido.
Non esitate a contattarci per un supporto nella selezione e per richieste di fornitura.
Ponte raddrizzatore trifase caratterizzato da VRRM = 10500 V e IF(AV)M = 1.2 A
Costruzione sigillata in epoxy.
A stock per consegna immediata.
Diodo raddrizzatore UGE1112AY4 caratterizzato da VRRM = 8000 V e IF(AV)M = 4.2 A
Costruzione sigillata in epoxy. Facile montaggio tramite la connessione a vite.
A stock per consegna immediata.
Diodo raddrizzatore UGE0421AY4 caratterizzato da VRRM = 3200 V e IF(AV)M = 22.9 A
Costruzione sigillata in epoxy. Facile montaggio tramite la connessione a vite.
A stock per consegna immediata.
