Il diodo raddrizzatore UGE3126AY4 ha le seguenti caratteriche nominali: VRRM = 24000 V e IF(AV)M = 2.0 A
Costruzione sigillata in epoxy. Facile montaggio tramite la connessione a vite.
A stock per consegna immediata.
Diodo raddrizzatore UGE1112AY4 caratterizzato da VRRM = 8000 V e IF(AV)M = 4.2 A
Costruzione sigillata in epoxy. Facile montaggio tramite la connessione a vite.
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Diodo raddrizzatore UGE0221AY4 caratterizzato da VRRM = 4800 V e IF(AV)M = 10.2 A
Costruzione sigillata in epoxy. Facile montaggio tramite la connessione a vite.
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Ixys propone un’ampissima gamma di diodi, Mosfet, Thyristor e IGBT di potenza.
Sono altresì disponibili moduli che combinano più semiconduttori, per un assemblaggio più rapido.
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