Ixys propone un’ampissima gamma di diodi, Mosfet, Thyristor e IGBT di potenza.
Sono altresì disponibili moduli che combinano più semiconduttori, per un assemblaggio più rapido.
Non esitate a contattarci per un supporto nella selezione e per richieste di fornitura.
Diodo raddrizzatore UGE0221AY4 caratterizzato da VRRM = 4800 V e IF(AV)M = 10.2 A
Costruzione sigillata in epoxy. Facile montaggio tramite la connessione a vite.
A stock per consegna immediata.
Diodo raddrizzatore UGE1112AY4 caratterizzato da VRRM = 8000 V e IF(AV)M = 4.2 A
Costruzione sigillata in epoxy. Facile montaggio tramite la connessione a vite.
A stock per consegna immediata.
FRED diode (Fast Recovery Epitaxial Diode) Ixys, nominal parameters VRRM 1200V, IFAVM109A.
Available at stock, immediate delivery worldwide.
